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近日，工信部原材料工業司發布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》（征求意見稿），公開征求社會各界意見，要求11月24日前反饋意見。其中，多項先進陶瓷材料入選。

1、原位自生陶瓷顆粒鋁基復合材料

性能要求：

（1）高強度鑄造陶鋁材料：抗拉強度≥410MPa，彈性模量≥85GPa，延伸率≥2%；

（2）高模量鑄造陶鋁材料：抗拉強度≥360MPa，彈性模量≥90GPa，延伸率≥0.5%；

（3）高塑性鑄造陶鋁材料：抗拉強度≥350MPa，彈性模量≥73GPa，延伸率≥14%；

（4）超高強變形陶鋁材料：抗拉強度≥805MPa，彈性模量≥76GPa，延伸率≥8%；

（5）高抗疲勞變形陶鋁材料：抗拉強度≥610MPa，彈性模量≥83GPa，延伸率≥6%。

2、鋁基碳化硅復合材料

性能要求：室溫熱導率≥200W/(m·K)，抗彎折強度≥500MPa，熱膨脹系數（RT～200℃）≤9ppm/℃。

3、納米陶瓷隔熱涂層材料

性能要求：太陽光反射比≥90%，半球發射率≥0.87，涂層厚度0.3～0.45毫米，附著力優于1級，延展率≥30%，彈性良好，BI級防火，防腐性能良好。

4、高性能微晶玻璃

性能要求：（1）零膨脹微晶玻璃：膨脹系數為 0±0.02×10^-6/℃，熱脹系數均勻性≤±0.01×10^-6/℃，5mm 厚樣品632.5nm透過率≥85%；

（2）5G 通訊用微晶玻璃：透過率（t=0.68mm，λ=550nm）≥91%，熱傳導率（25℃）≥1.5W/m.K，維氏硬度 Hv0.2/20-強化≥790×10⁷Pa，化學穩定性（損失量）（5%HCl，95℃，24h）0.1mg/cm²，（5%NaOH，95℃，6h）≤0.2mg/cm²，跌落測試破摔高度：≥2000mm（測試條件：t=0.68mm，測試面：80目砂紙，SiC顆粒；40g負重，測試總重60g）。

5、高純氧化鋁及球形氧化鋁粉

性能要求：

（1）高純氧化鋁（4N）：純度≥99.99%，比表面3～5m²/g，D500.5～20μm；

（2）高純氧化鋁（5N）：純度≥99.999%，比表面：1.7m²/g，D50：5μm，松裝密度：0.27g/cm³，平均孔徑：10.5nm；

（3）球形氧化鋁粉：Al₂O₃≥99.7%，SiO₂≤0.03%，Fe₂O₃≤0.03%，Na₂O≤0.02%，EC≤10μs/cm，含濕率≤0.03%，真實密度3.85±0.1g/cm³，球化率＞90%，白度≥90；

（4）高導熱氧化鋁粉體：產品粒徑＞25μm（D50），氧化鈉≤0.03%，氧化鐵≤0.08%，氧化硅≤0.08%，電導率≤60μs/cm。

6、氮化鋁粉體、陶瓷件及基板

性能要求：

（1）高純氮化鋁粉體：氧含量<0.8wt.%；碳含量<350ppm；鐵含量<10ppm，硅含量<50ppm，鈣含量<200ppm；比表面積≥2.5m²/g。

（2）氮化鋁陶瓷件：熱導率≥180W/(m·K)；抗彎強度≥350MPa；電阻率≥1014Ω·cm。

（3）高導熱氮化鋁基板：熱導率≥200W/(m·K)，抗彎強度＞300MPa。

7、氮化硅基板

性能要求：熱導率≥85W/(m·K)，抗彎強度＞700MPa。

8、氮化硅陶瓷軸承球

性能要求：抗彎強度≥900MPa；斷裂韌性：6～7MPa·m^1/2；硬度HV10≥1480kg/mm²；壓碎載荷比≥40%。

9、氮化硼承燒板

性能要求：氮化硼含量＞99.5%；氧含量≤0.15%；密度1.5～1.6g/cm³。

10、電子級超細高純球形二氧化硅

性能要求：SiO₂＞99.9%，球化率≥99%，D50：0.3～3μm，電導率≤10μS/cm，燒失量≤0.2%。

11、噴射成型耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層

性能要求：耐溫1200℃，硬度HV1100，結合強度45MPa，耐強酸強堿。

12、陶瓷基復合材料

性能要求：

（1）耐燒蝕C/SiC復合材料：密度為2.5～3.2g/cm³，室溫拉伸強度≥150MPa，拉伸模量≥120GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，1600℃拉伸強度≥100MPa，耐溫性能≥1800℃，滿足2MW/m²以上熱流環境下1000s零燒蝕或微燒蝕的要求；

（2）核電用SiC/SiC復合材料：密度為2.7～2.9g/cm³，室溫拉伸強度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，1200℃拉伸強度≥200MPa，導熱系數≥20W/(m·K)，熱膨脹系數（25℃～1300℃）3～5×10^-6/℃；

（3）航空用SiC/SiC復合材料：密度為2.5～2.9g/cm³，室溫拉伸強度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，1300℃拉伸強度≥200MPa，拉伸模量≥100GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，強度保持率≥80%（1300℃、120MPa應力下氧氣環境熱處理500小時）。

13、高性能陶瓷基板

性能要求：

（1）高光反射率陶瓷基板：可見光反射率≥97%，抗彎強度≥350MPa，熱導率≥22W/(m·K)；

（2）氧化鋁陶瓷基板：抗彎強度≥700MPa，熱導率≥24W/(m·K)，體積電阻率≥1014Ω·cm。

14、高性能水處理用陶瓷平板膜材料

性能要求：有效過濾面積0.5±0.004m²，分離膜平均孔徑130～170nm，顯氣孔率35～40%，純水通量（25℃，-40kPa）＞500LMH，彎曲強度＞30MPa，酸堿腐蝕后強度＞20MPa。

15、片式電阻器用電阻漿料

性能要求：漿料阻值范圍：0.1Ω～10MΩ；漿料細度：≤5μm；電阻溫度系數：≤±200ppm/℃（阻值范圍0.1Ω～10Ω）；≤±100ppm/℃（阻值范圍10Ω～10MΩ）。

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